[发明专利]双光源的激光退火装置和方法无效
申请号: | 200810055852.5 | 申请日: | 2008-01-10 |
公开(公告)号: | CN101217109A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 严利人;周卫;刘志弘;仲涛 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/324 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 史双元 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种双光源的激光退火装置和方法。该双光源激光退火装置包含用于退火的激光光源和波长在亚微米至微米量级,用于辅助性加热的光源,光学镜头系统和承片台。加工方法是辅助加热光束斜入射到衬底圆片的表面,在正式的激光退火之前对衬底表面进行预加热,从而可以改善热应力对于退火和圆片表面形貌的不良影响。另一方面,由于预加热的处理,在衬底圆片浅表面层引入了大量的声子,这些声子的存在,将有助于载流子能量的迟豫,取得更好的退火效果,因而晶格升温及圆片退火的过程可以在更短时间内完成,得到更浅的超浅结。由于晶格的预加热,激光退火所需的激光能量密度也将有所降低。 | ||
搜索关键词: | 光源 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种双光源的激光退火装置,其特征在于,所述双光源激光退火装置,含两个光源,一个是激光光源,用于退火和形成超浅结;另一个为长波长的辅助加热光源,用于辅助性的加热。光学镜头系统,放置在激光器出射光光路上,完成对激光光束的整形、匀束、聚焦;承片台,放置在光学镜头系统的下方,携带衬底圆片做步进移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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