[发明专利]等离子体处理设备及其气体分配装置有效
申请号: | 200810056179.7 | 申请日: | 2008-01-14 |
公开(公告)号: | CN101488446A | 公开(公告)日: | 2009-07-22 |
发明(设计)人: | 姚立强 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05H1/24;H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100016北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体分配装置,用于等离子体处理设备,包括支撑板以及与其相平行喷头电极,两者之间的空间中水平地设置第一气体分配板;所述第一气体分配板的顶面设有至少一条环绕其中心位置的周向通气槽,以及多条与所述周向通气槽相连通的径向通气槽;所述周向通气槽以及所述径向通气槽之中设有轴向通孔。工艺气体可以沿所述径向通气槽迅速横向扩散,从而实现工艺气体在径向均匀分布;工艺气体还可以由所述径向通气槽进入所述周向通气槽,从而实现工艺气体在周向的均匀分布。因此,本发明所提供的气体分配装置通过简单的结构即可保证工艺气体在反应腔室具有较高的均匀度。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 及其 气体 分配 装置 | ||
【主权项】:
1、一种气体分配装置,用于等离子体处理设备,包括固定连接于所述等离子体处理设备上电极且水平设置的支撑板(3),其中心部位具有第一进气通道(31);所述支撑板(3)的下方固定连接与其相平行喷头电极(5),两者之间的空间中水平地设置具有多个轴向通孔(43)的第一气体分配板(4);所述第一气体分配板(4)的中心部位与所述支撑板(3)的中心部位相对应;其特征在于,所述第一气体分配板(4)的顶面设有至少一条环绕其中心位置的周向通气槽(41),以及多条与所述周向通气槽(41)相连通的径向通气槽(42);所述轴向通孔(43)设置于所述周向通气槽(41)以及所述径向通气槽(42)之中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造