[发明专利]使用模板印刷高分子导电材料的低温倒装焊方法有效
申请号: | 200810056391.3 | 申请日: | 2008-01-18 |
公开(公告)号: | CN101217124A | 公开(公告)日: | 2008-07-09 |
发明(设计)人: | 蔡坚;薛琳;王水弟;贾松良 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B81C3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 使用模板印刷高分子导电材料的低温倒装焊方法属于封装技术,尤其涉及集成电路和微机电系统(MEMS)器件倒装焊技术领域,其特征在于用模板在芯片和衬底的焊盘上印刷高分子导电材料而形成凸点,然后把芯片和衬底的焊盘对准后在小于150℃温度的保温炉中固化,使所述芯片和衬底之间实现导电连接形成为一体,最后把不导电的高分子材料填充于所述芯片和衬底之间,形成完整的系统。本发明具有无须制作凸点下金属化层、工艺温度低、机械性能好的及可靠性高的优点,同时也减少或取消了后处理清洗残留物的设备。 | ||
搜索关键词: | 使用 模板 印刷 高分子 导电 材料 低温 倒装 方法 | ||
【主权项】:
1.使用模板印刷高分子导电材料的低温倒装焊方法,其特征在于,所述方法依次含有以下步骤:步骤(1),制作开孔的印刷模板开孔的位置和芯片上的焊盘、以及衬底上的焊盘的位置要逐个分别对应,开孔的面积比大于0.6,所述面积比=S/S侧,S是开孔的面积,S侧是开孔的侧壁面积,开孔的宽度比W/t要大于1.5,对于方孔,W是开孔的边长,对于圆孔,W是开孔的直径,t是模板的厚度,开孔的面积小于焊盘的面积;步骤(2),清洗所述需要倒装的芯片和衬底,去除所述芯片和衬底焊盘表面的有机污染物;步骤(3),使用所述模板在所述芯片表面的焊盘上印刷高分子导电材料,形成凸点,所述高分子导电材料是由热塑性或热固性的树脂混合导电颗粒组成的各向同性导电材料,导电颗粒可以是银粉颗粒;步骤(4),把印刷有所述高分子导电材料的芯片放入保温炉中固化,固化温度小于150℃;步骤(5),使用所述模板在所述衬底上印刷所述高分子导电材料形成凸点;步骤(6),把经过步骤(4)固化后的芯片和步骤(5)印刷有所述高分子导电材料但尚未固化的衬底对准后相互倒装在一起;步骤(7),把经过步骤(6)倒装后的芯片和衬底放入所述保温炉中固化,固化温度<150℃;步骤(8),使用不导电的高分子材料从底部去填充已经通过步骤(7)固化的倒装芯片;步骤(9),把步骤(8)中底部填充后的倒装芯片放入所述保温炉中固化,固化温度小于150℃,形成最后的系统。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810056391.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造