[发明专利]半导体加工工艺的监测系统和方法无效
申请号: | 200810056592.3 | 申请日: | 2008-01-22 |
公开(公告)号: | CN101494159A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 杨峰 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 100016*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体加工工艺的监测系统,包括:连续光源、间歇机构、光路控制器、光学准直装置、光谱仪、数据处理单元和算法单元;所述连续光源发出的光经由间歇机构进入半导体加工腔室,所述光路控制器控制间歇机构将连续入射光转换成脉冲光,并控制光谱仪采集半导体加工室中发出的光谱信号,数据处理单元和算法单元用于处理数据并确定工艺终点;同时提供了一种半导体加工工艺的监测方法。本发明公开的半导体加工工艺的监测系统和方法中,干涉光谱信号不易受到等离子发射光谱及其波动的干扰,显著提高信噪比和分辨率,此外,通过对光源强度和寿命的实时监测,实现了对光源稳定性和使用寿命的精确控制,有利于改善工艺监测的精确度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 工艺 监测 系统 方法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体加工工艺的监测系统,包括:连续光源、间歇机构、光路控制器、光学准直装置、光谱仪、数据处理单元和算法单元;所述连续光源发出的光经由所述间歇机构及光学准直装置进入半导体加工腔室,所述光路控制器控制间歇机构将连续光源发出的光转换成脉冲光,并控制所述光谱仪采集半导体加工腔室中发出的光谱信号,并将所述光谱信号送入数据处理单元进行处理,再由算法单元计算出工艺终点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,未经北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810056592.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造