[发明专利]一种电磁无损检测探头无效

专利信息
申请号: 200810057274.9 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101231265A 公开(公告)日: 2008-07-30
发明(设计)人: 谢宝忠;陈铁群;刘桂雄;朱佳震;洪晓斌 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: G01N27/82 分类号: G01N27/82;G01R15/12;G01R33/00
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所 代理人: 魏殿绅
地址: 510640广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电磁无损检测探头,包括:偏置单元,该偏置单元包括巨磁元件磁场偏置线圈与偏置磁场线圈铁芯,且通过偏置磁场铁芯对偏置线圈的励磁磁场进行强化;存储单元,包括Flash存储芯片,且该芯片的内部存储有各个巨磁元件的输出参数及磁场偏置线圈的励磁磁场偏置参数;控制单元,包括CPLD控制芯片,且该芯片控制多路转换芯片的运行、Flash存储芯片的运行及主机与探头之间的通讯;巨磁传感单元,包括X向磁场巨磁传感阵列与Y向巨磁传感阵列。通过本发明实现了涡流检测、漏磁检测与磁记忆检测等多种电磁无损检测一体化的功能,且该探头具有应用范围宽、测量范围大及稳定性好的特点。
搜索关键词: 一种 电磁 无损 检测 探头
【主权项】:
1.一种电磁无损检测探头,包括:偏置单元、存储单元、控制单元、巨磁传感单元,其特征在于,其中:偏置单元,包括巨磁元件磁场偏置线圈与偏置磁场线圈铁心,其中,所述巨磁元件磁场偏置线圈缠绕所述励磁磁场偏置线圈铁心的两端,且通过偏置磁场铁心对偏置线圈的励磁磁场进行强化;存储单元,包括Flash存储芯片,且该芯片的内部存储有各个巨磁元件的特性参数及磁场偏置线圈的磁场偏置参数;控制单元,包括CPLD控制芯片,且该芯片控制多路转换芯片的运行、Flash存储芯片的运行及主机与探头之间的通讯;巨磁传感单元,包括X向磁场巨磁传感阵列与Y向磁场巨磁传感阵列,且所述巨磁传感单元采用巨磁阻或巨磁阻抗元件。
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