[发明专利]半导体激光器频率调制方法无效
| 申请号： | 200810058640.2 | 申请日： | 2008-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101308995A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吴尚谦 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/042 |
| 代理公司： | 昆明今威专利代理有限公司 | 代理人： | 赵云 |
| 地址： | 650093云南省昆明市*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明为一种半导体激光器的频率调制方法，属于光电工程技术领域。本调制方法是，当其温度一定时，利用波长对电流变化饱和区域相对于功率对电流变化饱和区域的相对滞后，在功率饱和波长变化区域内对半导体激光器的频率进行调制。本发明改进了半导体激光器频率调制的方法，可以有效地抑制由于频率调制而伴随产生的功率的变化，实现频率调制而输出光功率相对稳定不变的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 频率 调制 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光器的频率调制方法，其特征是：①将半导体激光器温度控制为一定常值，从阈值电流以下开始扫引泵浦电流，同时测定半导体激光器输出光的波长和功率；②根据功率和波长随泵浦电流的变化，划分出半导体激光器的三个特性区域，即半导体激光器的功率和波长均在变化的PVWV区、功率饱和而波长在变化的PSWV区、功率和波长均达到饱和的PSWS区；③依照所划定的区域，使半导体激光器在PSWV区内工作，从而进行单纯的频率调制。
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