[发明专利]烧结钕铁硼永磁体热浴退磁方法及其装置有效
| 申请号： | 200810059500.7 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101276667A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 沈国迪;胡依群;赵德荣;张民;周广 | 申请（专利权）人： | 宁波韵升股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F13/00 |
| 代理公司： | 宁波天一专利代理有限公司 | 代理人： | 徐良江 |
| 地址： | 315040浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 烧结钕铁硼永磁体热浴退磁方法，表面干净、烘干的烧结钕铁硼永磁体在温度为烧结钕铁硼永磁体居里温度Tc以上5～20℃的热浴中直接浸入，保温时间为2～20min，再冷却。本发明还提供了相应的装置。本发明的优点在于：采用热浴加热，可以降低加热温度，提高加热效率，从而缩短处理时间，降低生产成本，保证产品质量，使烧结钕铁硼永磁体磁性能的最大磁能积(BH)max变化率在－2％以内，性能变异小。本发明可以处理高牌号的烧结钕铁硼永磁体如N50、N52、N55系列，因而适用性广。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 钕铁硼 永磁体 退磁 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、烧结钕铁硼永磁体热浴退磁方法，其特征在于：表面干净、烘干的烧结钕铁硼永磁体在温度为烧结钕铁硼永磁体居里温度Tc以上5～20℃的热浴中直接浸入，保温时间为2～20min，再冷却。
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