[发明专利]一种铜铟硫化合物薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及铜铟硫化合物薄膜的制备方法，将含硫、含铟和含铜离子的化合物配置成混合水溶液，利用超声喷雾装置使溶液雾化，在加热的衬底上进行一次性超声喷雾成膜，然后在通载气的条件下经原位热处理，自然冷却即可。本发明工艺、设备简单，成本低，产率高，生长的薄膜较为均匀，可用于CIS型薄膜太阳电池的大规模生产。

主权项

1.一种铜铟硫化合物薄膜的制备方法，其特征是包括以下步骤：清洗衬底，去除表面杂质；将含硫、含铟和含铜离子的化合物，按硫、铟、铜离子的摩尔浓度比为1～2∶1∶5～8，配置成混合水溶液，利用超声喷雾装置使溶液雾化，以惰性气体作为载气将雾滴滴到加热至温度为300℃-500℃的衬底上，在衬底上生长形成一层CuInS2薄膜；然后在通载气的条件下，于400℃-500℃原位热处理30分钟-120分钟，自然冷却即可。