[发明专利]重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置

摘要

本发明公开了一种重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置，它是将半导体工业中废弃的重掺硅的埚底料、头尾料、边角料、破碎片，在高温下加热熔化，通过在硅熔体中通惰性气体He、Ne、Ar，用吹气鼓泡促进蒸发的方法，降低硅中掺杂剂的磷、砷、锑、硼的浓度，以达到将半导体重掺硅用于太阳能硅的原料。本发明通过在普通的直拉硅单晶炉上附加一个吹气鼓泡装置和取样勺，采用控制蒸发温度和吹气鼓泡时间，可实现对硅中杂质的有效控制和随时检测，当N型杂质总浓度小于5×10¹⁶atms/cm³，或P型杂质总浓度小于1×10¹⁷atms/cm³，对应电阻率大于0.1Ω.cm时，半导体重掺硅的废弃料，可用于拉制太阳能硅单晶的原料。本发明简单易行，操作方便，可实现废弃硅的循环利用。

主权项

1.一种重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法，其特征在于将半导体工业中废弃的重掺硅的埚底料、头尾料、边角料、破碎片，在高温下加热熔化，通过在硅熔体中通惰性气体He、Ne、Ar，用吹气鼓泡促进蒸发的方法，降低硅中掺杂剂的磷、砷、锑、硼的浓度，以达到将半导体重掺硅用于太阳能硅的原料。