[发明专利]基于铌酸锂的电光型S弯曲可变衰减器无效
| 申请号： | 200810059924.3 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101251625A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 葛陆泉;李锡华;周强;江晓清;杨建义;王明华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/13;G02F1/035 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂的电光型S弯曲可变衰减器。S弯曲波导依次由输入波导、输入锥形过渡波导、S弯曲衰减波导、输出锥形过渡波导和输出波导构成。其中S弯曲衰减波导的波导宽度小于输入、输出波导宽度；覆盖电极经过SiO2缓冲层覆盖在输入锥形过渡波导、S弯曲衰减波导和输出锥形过渡波导上方，并且覆盖电极以S弯曲衰减波导中间点分为相连的两部分，分别向S弯曲波导内侧平移；接地电极结构组成与覆盖电极相同，接地电极与覆盖电极间距2～3μm，由两个焊点引出。本发明具有体积小、易于集成的优势；同时，由于铌酸锂材料具有很高的电光系数，所以用铌酸锂材料制作的可变衰减器具有低插入损耗，低电压，易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 铌酸锂 电光 弯曲 可变 衰减器 | ||
【主权项】：
1、一种基于铌酸锂的电光型S弯曲可变衰减器，包括Ti扩散形成的铌酸锂S弯曲波导，其特征在于：S弯曲波导依次由输入波导、输入锥形过渡波导、S弯曲衰减波导、输出锥形过渡波导和输出波导构成；其中S弯曲衰减波导的波导宽度小于输入、输出波导宽度2～4μm；电极由覆盖电极和接地电极组成，其中覆盖电极经过SiO2缓冲层覆盖在输入锥形过渡波导区、S弯曲衰减波导区和输出锥形过渡波导区上方，并且覆盖电极以S弯曲衰减波导区中间点分为相连的两部分，分别向S弯曲波导内侧平移2～4μm；接地电极结构组成与覆盖电极相同，同样由相连的两部分组成，接地电极与覆盖电极间距2～3μm，覆盖电极与接地电极分别由两个焊点引出。
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