[发明专利]一种制备半哈斯勒热电化合物的方法无效
| 申请号： | 200810059931.3 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101245426A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 蔚翠;朱铁军;徐绩;姜广宇;赵波;赵新兵 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C13/00 | 分类号： | C22C13/00;C22C1/02 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的制备半哈斯勒热电化合物的方法，采用的是感应加热悬浮熔炼法，步骤如下：根据化学式ZrxTi1－xNiSnySb1－y，0.5≤x≤1，0.97≤y≤1，称取原料Ti，Zr，Ni，Sn和Sb，将原料混合后，冷压压制成型；放入悬浮熔炼炉中，抽真空，在纯氩气气氛中进行悬浮熔炼至完全熔化，保温80～100s，冷却；待样品完全冷却后取出，敲碎，重新放入悬浮熔炼炉中，抽真空，在纯氩气气氛中再熔炼至完全熔化，保温80～100s，冷却后得到半哈斯勒半导体热电化合物。本发明方法工艺简单，周期短，能耗低，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 半哈斯勒 热电 化合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备半哈斯勒热电化合物的方法，其特征在于包括以下步骤：1)根据化学式ZrxTi1-xNiSnySb1-y，0.5≤x≤1，0.97≤y≤1，称取原料纯Ti，纯Zr，纯Ni，纯Sn和纯Sb，将原料混合后，冷压压制成型；2)将压制成型的原料放入感应加热悬浮熔炼炉的坩埚中，抽真空，在纯氩气气氛中进行悬浮熔炼至完全熔化，保温80～100s，冷却；3)待样品完全冷却后取出，敲碎，重新放入感应加热悬浮熔炼炉的坩埚中，抽真空，在纯氩气气氛中再熔炼至完全熔化，保温80～100s，冷却后得到半哈斯勒热电化合物。
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