[发明专利]磷掺杂生长ZnO量子点的方法无效
| 申请号： | 200810060102.7 | 申请日： | 2008-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101234778A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;吴亚贞;林均铭;叶志镇;何海平;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02;C23C16/22 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的磷掺杂生长ZnO量子点的方法采用的是金属有机化学气相沉积法(MOCVD)。以二乙基锌(DEZn)作为锌源，高纯氮气为载气，高纯氧气和高纯五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源，磷的掺杂采用电阻丝加热P2O5粉末产生气态磷原子实现。磷掺杂浓度可以通过改变加热P2O5的温度和P2O5粉末的用量进行调节。量子点的密度与尺寸可以通过调整气源流量、衬底温度和生长时间来控制。本发明方法简单，制得的磷掺杂ZnO量子点密度与尺寸分布较均匀，具有良好的光学性能，PL谱峰位于362～374nm处，与ZnO薄膜相比具有明显的蓝移。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 生长 zno 量子 方法 | ||
【主权项】：
1.磷掺杂生长ZnO量子点的方法，包括以下步骤：1)称量纯P2O5粉末0.1～10g，放入金属有机化学气相沉积装置的热蒸发器中，将清洗过的衬底放入金属有机化学气相沉积装置生长室中，保持衬底与热蒸发器出口端之间的距离为1～3cm，生长室真空度至少抽至10-2Pa，衬底加热升温到300～600℃，生长室通入纯氮气，氮气流量为5～20sccm，热蒸发器通入纯氧气，氧气流量为5～40sccm；2)通过N2鼓泡将纯二乙基锌带入生长室，控制热蒸发器温度在300～900℃，进行生长，在衬底上制得磷掺杂的ZnO量子点，氮气氛下冷却至室温。
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