[发明专利]一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法无效
| 申请号： | 200810060157.8 | 申请日： | 2008-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101239735A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;陈飞;杨立功;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；将含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽溶于水中制得溶液；将烘干的透明导电基片置于溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。本发明提供的制备硫化镉纳米棒阵列的方法，只需一步就能完成，工艺简单，制得的硫化镉纳米棒长度可调，采用的基片是透明的导电基片，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 硫化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；(2)将含镉前驱体、含硫前驱体和还原谷胱甘肽溶于水中制得溶液；(3)将步骤(1)中烘干的透明导电基片置于步骤(2)制备的溶液中并加热，完全反应后用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。
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