[发明专利]柔性薄膜Ni电阻传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810060765.9 申请日: 2008-04-18
公开(公告)号: CN101290240A 公开(公告)日: 2008-10-22
发明(设计)人: 朱精敏;谌辉;周凤丽 申请(专利权)人: 杭州精诚光电子有限公司;朱精敏
主分类号: G01F1/69 分类号: G01F1/69;G01K7/16;H01C7/00
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 代理人: 盛辉地
地址: 310028浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种柔性基体薄膜镍电阻传感器,包括基片、附在基片上的电阻线、焊接盘,采用在耐高温聚酰亚胺薄膜基片上,用真空蒸发Ni膜的方法制得导电层后,再用电化学方法加厚Ni膜,用光刻方法制成电阻器图案,经过再次用电化学方法调整阻值、涂覆保护层、固化和老化处理、装入相应金属夹持框而成。具有响应速度快,价格低廉,制作方法简单易行,解决了批量生产中保持器件性能一致且稳定可靠的问题,尤其适用于汽车进气热线式流量计和其他要求快速响应的热电阻测试系统中。
搜索关键词: 柔性 薄膜 ni 电阻 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种柔性基体薄膜镍电阻传感器,包括基片、附在基片上的电阻线、焊接盘,其特征是:基片为耐高温聚酰亚胺柔性薄膜,厚度25~75um;基片上的电阻线为沉积在聚酰亚胺柔性薄膜基片上的厚度1.5~5um的镍薄膜,光刻成栅状的电阻线;电阻线条和焊接盘的边缘涂覆聚合物保护层,露出焊点端头,使薄膜Ni电阻线条与大气隔绝防止氧化和玷污;薄膜镍电阻传感器电阻值设置为0℃时20~100Ω,传感器的总厚度35~85um。
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