[发明专利]阵列化光寻址电位传感器芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200810060771.4 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101266239A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 朱大中;戴春祥 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N33/50 | 分类号： | G01N33/50;G01N27/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310013*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列化光寻址电位传感器芯片及其制作方法。它具有硅基片，在硅基片的正面设有多个敏感区域，在多个敏感区域周围的硅基片上设有正面重掺杂层，在多个敏感区域和正面重掺杂层上设有氧化层，在正面重掺杂层上的厚氧化层上设有片上电极，硅基片的背面设有背面重掺杂层，在背面重掺杂层上设有铝电极。本发明在制作过程中对敏感区域之间的硅基片进行了重掺杂，并在重掺杂层上生长厚氧化层，在厚氧化层上设置片上电极。本发明芯片可以增加涂覆敏感膜的自由度，片上电极能直接与外电路连接用于测量而不必另加电极，背面重掺杂层能使铝电极和硅基片形成很好的欧姆接触，制作过程采用的是标准的半导体工艺，保证了芯片性能的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 寻址 电位 传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阵列化光寻址电位传感器芯片，其特征在于它具有硅基片(1)，在硅基片(1)的正面设有多个敏感区域(2)，在多个敏感区域(2)周围的硅基片上设有正面重掺杂层(3)，在多个敏感区域(2)和正面重掺杂层(3)上设有氧化层，正面重掺杂层(3)上厚氧化层(4)的厚度为500～1000内米，多个敏感区域(2)上薄氧化层(5)的厚度为30～100纳米，在正面重掺杂层(3)上的厚氧化层(4)上设有片上电极(6)，硅基片(1)的背面设有背面重掺杂层(7)，在背面重掺杂层(7)上设有铝电极(8)。
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