[发明专利]微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法无效

专利信息
申请号: 200810060845.4 申请日: 2008-03-21
公开(公告)号: CN101251532A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 张磊;殷学锋;童利民;谷付星 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01N33/48 分类号: G01N33/48;C12Q1/68
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 代理人: 盛辉地
地址: 310027浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法,将纳米线放置载玻片上作为模板;通过热压法,将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面;用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后,在聚合物基片表面形成二维纳米通道;将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合,形成密封的二维纳米通道。可用于制备具有二维纳米通道的微-纳流控芯片,本发明制备二维纳米通道工艺简单,不需要昂贵的加工设备,成本低廉,加工速度快。
搜索关键词: 纳流控 芯片 二维 纳米 通道 制备 方法
【主权项】:
1. 一种微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法,其特征是将纳米线放置载玻片上作为模板;通过热压法,将纳米线嵌入热塑性聚合物基片的上表面;用刻蚀剂将嵌入聚合物基片中的纳米线溶解后,在聚合物基片表面形成二维纳米通道;将形成二维纳米通道的聚合物基片与盖片封合,形成密封的二维纳米通道。
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