[发明专利]一种碳氮化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N₂稀释的SiH₄气体(SiH₄浓度10％)作为Si源和N源，以高纯CH₄为C源，按不同流量比、射频功率、沉积温度制备出具有不同成分比的SiC_xN_y膜。制备SiC_xN_y膜所需的Si源和N源采用SiH₄气体(SiH₄浓度10％)，比采用SiH₄，CH₄，N₂三路气体或采用混合气体SiH₄－CH₄－NH₃－H₂作为Si源和N源，降低了成本，简化了气路连接，而且采用稀释成低浓度的硅烷气体更安全，经济，易操作。本发明所制备的SiC_xN_y膜可应用于半导体工业及太阳电池产业。

主权项

1、一种碳氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下： 1)将抛光Si基片，用质量分数96％的H₂SO₄、质量分数30％的H₂O₂与去 离子水配置体积比为2∶1～2∶0～8的混合液浸泡5～15min，去离子水冲洗， 然后用HF与去离子水体积比为5％酸溶液浸泡5～10s，再用去离子水冲洗干净， 用N₂气吹干； 2)将清洗过的Si基片放PECVD沉积室，以N₂稀释到体积比为10％的SiH₄气体为Si源和N源，以高纯CH₄为C源，在Si基片表面制备SiC_xN_y膜。