[发明专利]一种氢氧化镁六方纳米片的合成方法无效
申请号: | 200810061926.6 | 申请日: | 2008-05-27 |
公开(公告)号: | CN101607722A | 公开(公告)日: | 2009-12-23 |
发明(设计)人: | 高林辉;祝洪良;金达莱;姚奎鸿;王耐艳 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | C01F5/20 | 分类号: | C01F5/20 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种氢氧化镁六方纳米片的合成方法。将一定摩尔硝酸镁和水合肼溶于去离子水中,充分搅拌形成白色沉淀,将上述配好的溶液放入高压釜中,填充度为80~90%,在150~200℃处理6~24小时;最后将处理好的溶液离心、干燥,就获得了规则氢氧化镁六方纳米片。本发明以水合肼作为矿化剂,无需任何络合剂或表面活性剂的辅助,实现了形状规则的氢氧化镁六方纳米片的合成,该纳米片直径约500纳米,厚度约40纳米,呈六方片状结构,粒径均一,具有较好的分散性。对工业合成氢氧化镁纳米片有一定的意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 氢氧化镁 纳米 合成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种氢氧化镁六方纳米片的合成方法,其特征在于该方法的步骤如下:1)将硝酸镁溶于去离子水中,控制硝酸镁的摩尔浓度为0.01~0.2摩尔/升,搅拌;2)磁力搅拌下向上述溶液中加入摩尔数为硝酸镁1.2~3倍摩尔数的水合肼,形成白色沉淀,继续搅拌;3)将最终配好的溶液放入聚四氟乙烯内衬的高压釜中,填充度为80~90%,在150~200℃下处理6~24小时;4)将处理好的溶液离心、干燥就获得了形状规则的氢氧化镁六方纳米片。
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