[发明专利]钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜的低温制备方法无效

专利信息
申请号: 200810062916.4 申请日: 2008-07-10
公开(公告)号: CN101318816A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 王疆瑛 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/475;C04B41/50
代理公司: 杭州赛科专利代理事务所 代理人: 陈辉
地址: 310018浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及用于铁电存储器的钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜的低温制备方法。该制备方法由络合剂络合技术和水热反应低温制备技术两部分组成。首先采用络合剂络合技术以无机盐为原料配制钛酸铋镧(BLT)前驱体溶液并在清洗好的Pt/Ti/SiO2/Si衬底上旋转涂覆所需厚度的薄膜,在350-450℃进行热处理,然后将此热处理薄膜放入高压反应釜中进行水热化学反应;反应温度150-300℃、反应时间2-48小时;随炉冷却,洗涤,在80℃烘干,得到400-900nm厚度的钛酸铋镧(BLT)铁电薄膜。该方法制备工艺简单,制备温度低、操作方便,成本较低,可与微电子技术兼容。
搜索关键词: 钛酸铋镧 blt 薄膜 低温 制备 方法
【主权项】:
1、钛酸铋镧Bi3.15La0.75Ti3O12(BLT)的前驱体溶液,其特征在于:采用以硝酸铋、硝酸镧、钛酸丁酯、乙二醇和氨水等为原材料,以柠檬酸为鳌合剂,铁电相组分:硝酸铋,硝酸镧,钛酸丁酯的摩尔比为Bi∶La∶Ti=3.15×(1.00-1.10)∶0.75∶3。
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