[发明专利]高熵合金基复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810063807.4 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101215663A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李邦盛;王艳苹;任明星;杨闯 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C22C30/00 | 分类号： | C22C30/00;C22C1/02;C22C1/05;C22C1/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 高熵合金基复合材料及其制备方法，它涉及一种合金基复合材料及其制备方法。提供一种高熵合金基复合材料及其制备方法，获得综合性能优于高熵合的复合材料。高熵合金基复合材料按体积百分比由1％～45％的增强相和55％～99％的高熵合金基体制成。高熵合金基复合材料采用原位自生方法或非原位自生方法制备。增强相在高熵合金基体中原位自生或外部加入。本发明在原有的高熵合金基础上进一步提高了材料的力学性能，高熵合金基复合材料的硬度、强度等性能都比复合前显著提高，可最大限度的发挥高熵合金基体的潜能。本发明高熵合金基复合材料可采用多种制备工艺制造，操作简单，易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 合金 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.高熵合金基复合材料，其特征在于高熵合金基复合材料按体积百分比由1％～45％的增强相和55％～99％的高熵合金基体制成；其中增强相为TiC、TiB2、TiB、B4C、Al2O3、Ti3Al、TiAl、Ti5Si3、Zr2O3、AlN或TiN。
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