[发明专利]一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法无效
申请号: | 200810064031.8 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101230445A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 隋解和;成艳;高智勇;蔡伟 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C14/02 | 分类号: | C23C14/02;C23C14/34;C23C14/16;A61F2/82;A61L31/08 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,它涉及一种提高TiNi合金在X-光下显影性的方法。它解决了现有技术中提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法存在工艺复杂、成本高、降低了TiNi合金的机械性能或是降低TiNi合金的相变温度的问题。其方法:将TiNi合金支架化学抛光后清洗、吹干,然后放入多弧离子镀炉中,先进行溅射清洗,再用钽离子轰击溅射清洗后的TiNi合金支架并沉积,然后冷却至室温取出。本发明一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,不影响TiNi合金的相变温度和机械性能,工艺简单、成本低。 | ||
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【主权项】:
1.一种提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法,其特征在于提高TiNi合金支架在X-光下显影性的方法按以下步骤实现:一、将TiNi合金支架化学抛光,再放入丙酮中超声波清洗,然后吹干;二、吹干后的TiNi合金支架放入多弧离子镀炉中,抽真空至10-4~10-5Pa,再通入氩气至0.2~0.3Pa,在TiNi合金支架加上800~1100V的负偏压,进行溅射清洗,持续时间为20~40min;三、溅射清洗后,在弧流为70~80A、负偏压为100~500V的条件下用钽离子轰击TiNi合金支架并沉积,轰击时间为30~160min,然后冷却至室温取出,得镀钽层的TiNi合金支架。
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