[发明专利]具有除霜增透保护膜的锗窗口及其制备方法无效
申请号: | 200810064100.5 | 申请日: | 2008-03-12 |
公开(公告)号: | CN101241197A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | 朱嘉琦;陈旺寿;韩杰才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/30;C23C14/54 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 吴国清 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 具有除霜增透保护膜的锗窗口及其制备方法,它涉及锗红外光学窗口的制备方法。它解决了现有锗窗口结霜和红外线透过率低的问题。本发明在锗片(5)的上表面叠加有界面绝缘薄膜层(3)、发热电阻薄膜层(2)和外表面绝缘薄膜层(1),电极(4)设在发热电阻薄膜层(2)外表面的左右两端上。方法为:1.预处理锗片并对锗片进行刻蚀;2.制备界面绝缘薄膜层(3);3.制备发热电阻薄膜层(2);4.制作电极;5.制备外表面绝缘薄膜层(1),在发热电阻薄膜层(2)上面沉积非晶金刚石为外表面绝缘薄膜层(1),取出锗片,即制备成具有除霜增透保护膜的锗窗口。本发明的锗窗口在3.1~4.0μm波段处透过率由原来的50%增加到65%,除霜效果好。 | ||
搜索关键词: | 具有 除霜 保护膜 窗口 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、具有除霜增透保护膜的锗窗口,它由外表面绝缘薄膜层(1)、发热电阻薄膜层(2)、界面绝缘薄膜层(3)、电极(4)和锗片(5)组成,其特征在于界面绝缘薄膜层(3)设在锗片(5)的上表面,在界面绝缘薄膜层(3)的上表面设有发热电阻薄膜层(2),电极(4)设在发热电阻薄膜层(2)上表面的左右两端上,外表面绝缘薄膜层(1)设在发热电阻薄膜层(2)的上表面和两个电极(4)之间。
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