[发明专利]Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810064784.9 申请日: 2008-06-20
公开(公告)号: CN101328614A 公开(公告)日: 2008-12-24
发明(设计)人: 刘维海;徐衍岭;王锐;王佳;徐超;刘彦梅 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/04;H01S3/16;G02B1/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 金永焕
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法,它涉及一种钨酸铅晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料的发光强度低的问题。本发明Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO3、PbO、Er2O3和Yb2O3制成。方法:1.称取所需成分;2.烧结;3.采用提拉法生长晶体,即得Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料。本发明在Er掺杂钨酸铅晶体上转换材料中掺杂元素镱(Yb),在保留Er掺杂钨酸铅晶体原有优良性能的基础上,提高了Er掺杂钨酸铅晶体的绿光波段发光强度近三倍。
搜索关键词: yb er 掺杂 钨酸铅 晶体 转换 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料,其特征在于Yb和Er双掺杂钨酸铅晶体上转换材料由WO3、PbO、Er2O3和Yb2O3制成;其中WO3和PbO的摩尔比为1∶1,Er2O3的掺杂浓度为0.1~3mol%,Yb2O3的掺杂浓度为0.1~3mol%。
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