[发明专利]Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 200810064785.3 | 申请日: | 2008-06-20 |
公开(公告)号: | CN101327955A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 王锐;王佳;刘维海;赵培白;徐玉恒 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C01G33/00 | 分类号: | C01G33/00;C30B29/30 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150001黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。它解决了现有技术制备的掺杂Fe的酸锂晶体存在响应时间慢和抗光损伤能力低的问题。本发明Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成。方法:一、称取所需成分;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体;四、极化处理,即得Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体。本发明在铌酸锂晶体中掺杂元素Mg、Hf和Fe,在保留铌酸锂晶体原有优良性能的基础上,明显提高了铌酸锂晶体的抗光损伤能力,缩短了响应时间。 | ||
搜索关键词: | mg hf fe 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体,其特征在于Mg、Hf和Fe三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Fe2O3、MgO和HfO2制成;其中Li2CO3和Nb2O5 的摩尔比为0.85~1.38∶1,Fe2O3的掺杂浓度为0.01~0.05%(质量),MgO的掺杂浓度为1~6mol%,HfO2的掺杂浓度为1~5mol%。
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