[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号： | 200810065797.8 | 申请日： | 2008-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101527327A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 孙海林;姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述背电极设置于所述硅片衬底的下表面，且与该硅片衬底表面欧姆接触。所述硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔。所述掺杂硅层形成于所述凹孔的内表面。所述上电极设置于所述硅片衬底的上表面。该上电极包括一碳纳米管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其包括：一硅片衬底，该硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔；一背电极，该背电极设置于所述硅片衬底的下表面，且与该硅片衬底表面欧姆接触；一掺杂硅层，该掺杂硅层形成于所述凹孔的内表面；一上电极，该上电极设置于所述硅片衬底的上表面；其特征在于，所述上电极包括一碳纳米管结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
