[发明专利]场发射电子源的制备方法有效

专利信息
申请号: 200810066127.8 申请日: 2008-03-19
公开(公告)号: CN101540253A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 魏洋;刘亮;范守善 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北京市海淀区清华园1*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;通过使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线;将该碳纳米管线通电流加热熔断,得到多个碳纳米管针尖;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。
搜索关键词: 发射 电子 制备 方法
【主权项】:
1.一种场发射电子源的制备方法,包括以下步骤:提供一碳纳米管薄膜,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管沿同一方向延伸排列;提供一第一电极和一第二电极,将碳纳米管薄膜的两端分别固定于第一电极和第二电极上,该碳纳米管薄膜中的碳纳米管从第一电极向第二电极延伸;使用有机溶剂处理该碳纳米管薄膜,形成多个碳纳米管线,该碳纳米管线的两端分别固定于第一电极和第二电极上;将该碳纳米管线通电流加热熔断,形成多个碳纳米管针尖于第一电极或第二电极上;提供一导电基体,将一碳纳米管针尖转移设置于该导电基体上,形成一场发射电子源。
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