[发明专利]新型纳米相弥散强化铜及其制备方法和产品生产工艺无效
申请号: | 200810066186.5 | 申请日: | 2008-03-27 |
公开(公告)号: | CN101250639A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 刘绍军 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22C1/04;C22F1/08 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 | 代理人: | 胡吉科 |
地址: | 518055广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及弥散强化铜及其制备方法和产品生产工艺。弥散强化铜中,弥散强化相含量为0.5-1.25wt%,弥散强化相微粒的尺寸为0.01-0.05μm,间距为0.1-0.5μm。纳米相弥散强化铜制备方法包括步骤:一、在室温和惰性气体中,将铝、镱、镧、铈或锆粉与氧化亚铜粉进行混合,通过机械合金化在铜基体中通过原位反应合成法形成具有纳米增强相的铜合金粉末;二、在惰性气体下进行退火处理;三、将复合粉末与电解铜粉进行第二步高能球磨得到纳米相弥散强化铜合金。利用得到的弥散强化铜进行退火、冷等静压、烧结致密化和冷加工制出所需型材。利用本方法制备弥散强化铜的方法成本低、产量高、工艺简单,所制备的相关产品具有良好的导热和导电等综合性能。 | ||
搜索关键词: | 新型 纳米 弥散 强化 及其 制备 方法 产品 生产工艺 | ||
【主权项】:
1. 一种新型纳米相弥散强化铜,其特征在于:在所述弥散强化铜中,弥散强化相含量为0.5-1.25wt%,弥散强化相微粒的尺寸为0.01-0.05μm,间距为0.1-0.5μm。
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