[发明专利]太阳能电池在审
| 申请号： | 200810066750.3 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101562204A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 孙海林;姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一本征隧道层和一碳纳米管结构。所述硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面。所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底的第一表面欧姆接触。所述本征隧道层设置于所述硅片衬底的第二表面，且与该硅片衬底的第二表面接触。所述碳纳米管结构设置于所述本征隧道层的表面，且与该本征隧道层的表面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其包括依次设置的一背电极、一硅片衬底及一本征隧道层，其特征在于，所述太阳能电池进一步包括一碳纳米管结构设置于上述本征隧道层的表面，上述本征隧道层设置于所述硅片衬底和碳纳米管结构之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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