[发明专利]带状碳纳米管薄膜的制备方法有效
申请号: | 200810067529.X | 申请日: | 2008-05-28 |
公开(公告)号: | CN101591015A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | 姜开利;李群庆;刘亮;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02;B81C1/00 |
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地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种带状碳纳米管薄膜的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底;在所述基底表面形成至少一个带状催化剂薄膜;采用化学气相沉积法生长至少一个带状碳纳米管阵列;以及处理所述至少一个带状碳纳米管阵列,使所述至少一个带状碳纳米管阵列沿垂直于其长度的方向倾倒,在基底表面形成至少一个带状碳纳米管薄膜。 | ||
搜索关键词: | 带状 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种带状碳纳米管薄膜的制备方法,其具体包括以下步骤:提供一基底;在所述基底表面形成至少一个带状催化剂薄膜;采用化学气相沉积法生长至少一个带状碳纳米管阵列;以及处理所述至少一个带状碳纳米管阵列,使所述带状碳纳米管阵列沿垂直于其长度的方向倾倒,在基底表面形成至少一个带状碳纳米管薄膜。
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