[发明专利]碳纳米管薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200810067588.7 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101597049A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 冯辰;刘锴;翟永超;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管薄膜的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管阵列，形成于一基底；采用等离子体处理该碳纳米管阵列；以及采用一拉伸工具从等离子体处理后的碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管薄膜的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管阵列，形成于一基底；采用等离子体处理该碳纳米管阵列；以及采用一拉伸工具从等离子体处理后的碳纳米管阵列中拉取获得一碳纳米管薄膜。
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