[发明专利]场发射体及其制备方法有效
| 申请号： | 200810067726.1 | 申请日： | 2008-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101604603A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;柳鹏;刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种场发射体，其包括一导电基体及一碳纳米管阵列片断，该碳纳米管阵列片断包括一第一端及与第一端相对的第二端，该碳纳米管阵列片断的第一端与导电基体电连接，其中，该碳纳米管阵列片断的第二端包括多个场发射尖端，该场发射尖端包括多个并列设置的碳纳米管。一种场发射体的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管阵列形成于一基底；提供一第一电极及一第二电极，该第一电极和第二电极绝缘间隔设置；从该碳纳米管阵列中取下一部分，将取下的该部分碳纳米管阵列的两端分别固定于第一电极与第二电极上，该部分碳纳米管阵列中的碳纳米管从所述第一电极向第二电极延伸；以及在第一电极和第二电极之间施加7-10伏的电压，将该部分碳纳米管阵列熔断，形成两个相对的场发射体。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射体，其包括一导电基体及一碳纳米管阵列片断，该碳纳米管阵列片断包括一第一端及与第一端相对的第二端，该碳纳米管阵列片断的第一端与导电基体电连接，其特征在于，该碳纳米管阵列片断的第二端包括多个场发射尖端，每个场发射尖端包括多个并列设置的碳纳米管。
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