[发明专利]一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法无效
| 申请号： | 200810068907.6 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101362600A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴展平 | 申请（专利权）人： | 贵阳高新阳光科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 贵阳东圣专利商标事务有限公司 | 代理人： | 徐逸心 |
| 地址： | 550014贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，涉及一种成本低、工艺简单、能耗低的去除金属硅中杂质硼的方法。包括用于制造太阳能电池硅材料的初级提纯方法。其特征在于该方法采用湿法冶金技术，以工业硅作为原材料，经过粉碎研磨；筛选粒度范围的硅粉加入到稀酸溶液中浸泡，以去除大部分铁、铝、钙等金属杂质；将酸处理后的硅粉加入到不同铵盐的混合溶液中，进行加热并搅拌；过滤、洗涤、真空干燥后，得到硼含量低于3PPM的多晶硅。将此多晶硅进行简单定向凝固后可获得满足太阳能电池质量要求的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 湿法 冶金 多晶 硅中硼 方法 | ||
【主权项】：
1.一种湿法冶金除多晶硅中硼的方法，其特征是以工业硅为原料、粉碎至150目-600目，加入到盐酸和氢氟酸的混合溶液中，常温浸泡24小时以上，除去大部份金属杂质，将酸处理后的硅粉加入到氯化铵和氟化铵混合溶液中，加热至60℃-90℃，并维持温度搅拌2-6小时后，进行固液分离，用纯净水洗硅粉至中性，真空干燥。
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