[发明专利]多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器无效
申请号: | 200810069291.4 | 申请日: | 2008-01-23 |
公开(公告)号: | CN101221995A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 熊平;李华高;白雪平;龙飞;李立;陈红兵;李仁豪 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108 |
代理公司: | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400065重庆市南*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 本发明公开了一种多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器,它包括:金属反射镜、光腔介质、硅化物敏感膜、N型保护环、N+电极、P+电极、P型衬底和抗反射膜,其特征在于:所述的硅化物敏感膜可有多层;两两硅化物敏感膜间及其与光腔介质间都夹有P型无定形硅,各层硅化物敏感膜都与N型保护环连接;本发明选用三层硅化物敏感膜结构作为一种优选结构,硅化物敏感膜上下两面均为硅,经多次散射满足注入硅条件的热空穴可注入硅中,与常规结构相比热空穴注入硅中的几率增加约1倍;本发明的有益技术效果是:可将光电转换效率提高到常规肖特基势垒红外探测器的3倍以上,制作工艺与常规肖特基势垒红外探测器兼容。 | ||
搜索关键词: | 多层 敏感 膜光腔 结构 肖特基势垒 红外探测器 | ||
【主权项】:
1.一种多层敏感膜光腔结构肖特基势垒红外探测器,它包括:金属反射镜(1)、光腔介质(2)、硅化物敏感膜(3)、N型保护环(4)、N+电极、P+电极、P型衬底(5)和抗反射膜(7),其特征在于:所述的硅化物敏感膜(3)可有多层;两两硅化物敏感膜(3)间及其与光腔介质(2)间都夹有P型无定形硅(6);各层硅化物敏感膜(3)都与N型保护环(4)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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