[发明专利]检测氢气的气敏元件制备方法无效

专利信息
申请号: 200810069532.5 申请日: 2008-04-01
公开(公告)号: CN101251508A 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 刘天模;甘浩宇;利佳;赵先瑞 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407
代理公司: 重庆志合专利事务所 代理人: 胡荣珲
地址: 400044重庆*** 国省代码: 重庆;85
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摘要: 发明涉及一种检测氢气的气敏元件制备方法,将超声波和低温陈化技术运用到锌盐、锡盐的络合效应与化学共沉淀制备纳米ZnSnO3。本发明是在纳米ZnSnO3的基础上,掺杂贵金属盐PdCl2、粘接剂(正硅酸乙脂)和去离子水,通过研磨、超声波震荡、涂料、烧结等工艺制成新型的PdO-ZnSnO3旁热式半导体气敏元件。其中纳米ZnSnO3基料采用改进的共沉淀法制得。本发明具有气敏材料灵敏度高、选择性强、工作温度低、制备工艺简单等优点。
搜索关键词: 检测 氢气 元件 制备 方法
【主权项】:
1. 一种检测氢气的气敏元件制备方法,其特征在于有以下步骤:A.制备掺杂有PdCl2和正硅酸乙脂的ZnSnO3粉料;B.ZnSnO3粉料经过3~6小时研磨混合后,超声波分散;C.用去离子水将ZnSnO3粉料调成糊状后,涂敷在带有铂电极的陶瓷管上,涂层厚度为0.5~1.5mm;D.将上述陶瓷管在80~120℃温度下干燥1.5~2小时,600~800℃热处理烧结8小时后,连接在带有镍管角的底座上,即得用于检测氢气的气敏元件。
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