[发明专利]一种半导体泵浦的腔内倍频微片激光器

摘要

本发明公开了一种半导体泵浦的腔内倍频微片激光器，包括半导体激光器、光学耦合元件和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质、倍频晶体和光学元件，其中半导体激光器泵浦波长为880nm±20nm波长光作为泵浦光(⁴I_9/2→⁴F_3/2)，激光增益介质为采用掺入Nd³⁺的激光增益介质，从而获得宽温度范围、高倍频转化效率的半导体泵浦腔内倍频微片激光器，这种微片激光器适用于一切从⁴F_3/2向下跃迁的激光振荡波长腔内倍频微片式激光器，可广泛应用于激光显示、建筑测量等一系列领域。

主权项

1、一种半导体泵浦的腔内倍频微片激光器，包括半导体激光器、光学耦合元件和微片式倍频激光器，微片式倍频激光器包括激光增益介质、倍频晶体和光学元件，其特征在于：半导体激光器泵浦波长为880nm±20nm波长光作为泵浦光(4I9/2→4F3/2)，激光增益介质为采用掺入Nd3+的激光增益介质。