[发明专利]掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200810070570.2 | 申请日： | 2008-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101498044A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 王国富;赵旺;林州斌;张莉珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 掺钕硼钼酸镧激光晶体及其制备方法，属于人工晶体领域。该激光晶体属于单斜晶系，分子式为Nd3+:LaBMoO6，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间。该激光晶体采用提拉法生长，生长温度1090℃，晶体转速10～30转/分钟，拉速0.5～1毫米/小时。该晶体是一种新型的激光晶体，可产生1060nm和900nm左右波长的激光输出。本发明制备工艺简单、生长速度快、成本低廉；所生长晶体具有硬度大、组分均匀、尺寸大和光学质量好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺钕硼 钼酸 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.掺钕硼钼酸镧激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为LaBMoO6，，Nd3+掺杂浓度在0.5at.-15at.％之间，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为![]()
β＝115.697°，![]()
Dc＝4.915g/cm3。
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