[发明专利]选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法无效
| 申请号： | 200810071176.0 | 申请日： | 2008-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101289173A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 康俊勇;李金钗;李书平;杨伟煌;陈航洋;刘达艺 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B21/06 | 分类号： | C01B21/06;C01G15/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森;刘勇 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上外延生长形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面掺入施主杂质和受主杂质，得选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料，其中，每个生长周期的步骤为：生长带隙较宽的垒层，同时掺入受主杂质；生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；生长非掺的带隙较窄的阱层；生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 晶格 位置 掺杂 iii 氮化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)选择同质或者异质的基质材料；2)在基质材料上进行外延生长，生长10～100个周期，形成变换叠加的垒层和阱层，在垒层与阱层的界面和阱层与垒层的界面分别掺入施主杂质和受主杂质，得到选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料；其中，每个生长周期的步骤依次为：a.生长带隙较宽的垒层，并同时掺入受主杂质；b.生长施主杂质或受主杂质δ掺杂层；c.生长非掺的带隙较窄的阱层；d.生长受主杂质或施主杂质δ掺杂层；3)在N2气氛下对所得的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料退火，即得目标产物。
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