[发明专利]微片式电光调Q激光器的结构无效

专利信息
申请号: 200810071319.8 申请日: 2008-07-02
公开(公告)号: CN101304150A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 吴砺;陈新;卢秀爱;陈卫民;凌吉武 申请(专利权)人: 福州高意通讯有限公司
主分类号: H01S3/08 分类号: H01S3/08;H01S3/16;H01S3/108;H01S3/109;H01S3/115;H01S3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350014福建省福州市晋*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了微片式电光调Q激光器的结构,其包括半导体激光器、光学耦合系统以及微片激光器,微片激光器包括激光增益介质、偏振起偏器、电光调Q晶体或透明陶瓷,微片激光器的激光入射面和出射面分别镀有前腔膜和后腔膜,其中微片激光器中各光学元件通过光胶或深化光胶粘结成一整体,结构紧凑稳定,易于大规模生产,制成的产品体积小,且成本低,从而使电光调Q激光器有可能获得大规模应用。
搜索关键词: 微片式 电光 激光器 结构
【主权项】:
1、微片式电光调Q激光器的结构,包括半导体激光器、光学耦合系统以及微片激光器,微片激光器包括激光增益介质、偏振起偏器、电光调Q晶体或透明陶瓷,微片激光器的激光入射面和出射面分别镀有前腔膜和后腔膜,其特征在于:微片激光器中各光学元件通过光胶或深化光胶粘结成一整体。
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