[发明专利]一种冶金硅中杂质磷的去除方法无效
| 申请号： | 200810071424.1 | 申请日： | 2008-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101628718A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 罗晓斌 | 申请（专利权）人： | 佳科太阳能硅（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种冶金硅中杂质磷的去除方法，以块状或粉状的冶金硅为原料，在坩埚底部加入占冶金硅原料重量1％～5％的添加剂，然后进行真空冶炼，将磷去除。本发明具有操作简单、环境协调性好、提纯成本低、能源消耗低的特点。处理后，磷P≤0.1ppm，即满足太阳能级硅对P含量的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 杂质 去除 方法 | ||
【主权项】：
1、一种冶金硅中杂质磷的去除方法，其特征在于：以块状或粉状的冶金硅为原料，在坩埚底部加入占冶金硅原料重量1％～5％的添加剂，然后进行真空冶炼，将磷去除。
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