[发明专利]一种半导体泵浦单纵模激光器无效
| 申请号： | 200810071640.6 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101340052A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吴砺;凌吉武;卢秀爱;马英俊 | 申请（专利权）人： | 福州高意通讯有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/06 | 分类号： | H01S3/06;H01S3/07;H01S3/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350014福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体泵浦单纵模激光器，其包括泵浦光源、光学耦合系统和激光增益介质，其中激光增益介质为一组等厚激光增益介质薄片通过光胶或深化光胶制作而成，每片增益介质薄片的厚度均小于短程吸收产生单纵模所允许的最长厚度，增益介质薄片之间连接面均镀有反射膜层，本发明采用以上技术方案，各激光增益介质薄片均为激光振荡波长的一个驻波节点，每片激光增益介质厚度均小于短程吸收允许最长厚度，所以只允许增益最大波长起振，这样消除整个微片中驻波烧孔效应，同时总激光增益介质厚度增大，从而可以提高允许泵浦功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 泵浦单纵模 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体泵浦单纵模激光器，包括泵浦光源、光学耦合系统和激光增益介质，其特征在于：激光增益介质为一组等厚激光增益介质薄片通过光胶或深化光胶制作而成，每片增益介质薄片的厚度均小于短程吸收产生单纵模所允许的最长厚度，增益介质薄片的光入射面、连接面之间和光出射面上均镀有反射膜层。
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