[发明专利]一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法有效
| 申请号： | 200810071779.0 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101775651A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李国辉;李征东;苏根博;贺友平;林秀钦;庄欣欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤：在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天；籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，保持正反转速率为40-60转/分。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 口径 质量 磷酸 二氢钾单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法，包括如下步骤：(1)在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天至籽晶闭锥；(2)籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；(3)晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，正反转速率为40-60转/分。
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