[发明专利]掺铒钼酸锂钡钇激光晶体及其制备方法和用途无效
申请号: | 200810071785.6 | 申请日: | 2008-09-16 |
公开(公告)号: | CN101676448A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 王国富;宋明君;张莉珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B9/00;H01S3/16 |
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摘要: | 本发明涉及激光晶体掺铒钼酸锂钡钇及其制备方法和用途。该方法采用60~80at%Li2MoO4为助熔剂,降温速率为0.5~2℃/天,转速为5~30转/分钟,生长出了高质量、较大尺寸的Er3+:Li3Ba2Y3(MoO4)8晶体.该晶体属单斜晶系,具有C2/c空间群结构。该晶体是一种新型的激光晶体,可产生1500nm左右波长的激光输出。 | ||
搜索关键词: | 钼酸 锂钡钇 激光 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
1.一种掺铒钼酸锂钡钇激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Er3+:Li3Ba2Y3(MoO4)8,属于单斜晶系,具有C2/c空间群,晶胞参数为β=91.227°Dc=4.861g/cm3。
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