[发明专利]一种锗量子点的制备方法无效
| 申请号： | 200810071934.9 | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101388324A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张永;李成;廖凌宏;陈松岩;赖虹凯;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种锗量子点的制备方法，涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度，小于SiGe的熔点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种锗量子点的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1)在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上，生长一层SiGe合金层，Ge组分大于0，小于等于0.5；2)将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗，清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层，氧化物为SiO2和GeO2的混合物；3)将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧，得Ge量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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