[发明专利]一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法无效
| 申请号： | 200810072127.9 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101404380A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张山从;陈建林 | 申请（专利权）人： | 福建华科光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/109 | 分类号： | H01S3/109 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 翁素华 |
| 地址： | 350000福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其加工步骤包括：双折射型激光晶体及II类位相匹配倍频晶体分别毛坯定向、切割、大片磨砂、抛光、大片镀膜、双折射型激光晶体大片与II类位相匹配倍频晶体大片之间光胶或深化光胶、大片切小。其特征是双折射型激光晶体抛光步骤中还含有位相差控制步骤，通过在双折射型激光晶体最后一次表面抛光过程中控制双折射型激光晶体中o、e倍频光的位相差，使得激光晶体被加工成在该激光器实际工作温度下所输出倍频光的高级次半波片或全波片。本发明的优点在于：使得倍频光在腔内通过双折射型激光晶体后从激光器输出时仍然保持较好的偏振度，从而保证该激光器在一定工作温度范围内可输出较高消光比的倍频光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 两片式 结构 倍频 激光器 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其加工步骤包括：双折射型激光晶体及II类位相匹配倍频晶体分别毛坯定向、切割、大片磨砂、抛光、大片镀膜、双折射型激光晶体与II类位相匹配倍频晶体之间固定，其特征在于：双折射型激光晶体抛光步骤中还含有位相差控制步骤，使得双折射型激光晶体被加工成在该激光器实际工作温度下所输出倍频光的高级次半波片或全波片。
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