[发明专利]一种生长大尺寸高质量BBO晶体的特殊工艺方法有效
| 申请号： | 200810072363.0 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101748476A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;梁桂金 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长低温相偏硼酸钡(β-BaB2O4，简称BBO晶体)晶体的特殊工艺技术，尤其是能够生长大尺寸高质量BBO单晶的技术。为了减少或消除BBO晶体在生产过程中，在内部尤其是中心区域产生大量包裹物，本发明方面采用了锥形坩埚进行BBO晶体生长，如图所示，在晶体下方对流加强，明显减少了下方的对流盲区，对流改善了，溶质的输运加快了，缺陷也随之减少了。另一方面，本发明用NaF、NaCl作为添加剂，由于F-或Cl-可以有效地破坏溶液中的网络结构，使得溶液的粘滞度得到很大的降低，提高了BBO晶体生长速度，并改善了晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 质量 bbo 晶体 特殊 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种生长大尺寸高质量BBO晶体的特殊工艺方法，其特征是采用锥形坩埚生长，用Na2O作助熔剂，NaCl和NaF作为添加剂。
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