[发明专利]一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdS纳米棒的方法无效
| 申请号： | 200810072976.4 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101397149A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 简基康;邹华;吴荣;孙言飞;郑毓峰 | 申请（专利权）人： | 新疆大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 830046新疆维*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.01-1∶0.35的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-3厘米处放置各种衬底。当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-2×10-3Pa的真空环境后，密闭蒸发炉，电阻加热舟通电流为100-180A保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的硫化镉纳米棒为晶态的六方相结构的CdS。本发明所得的硫化镉纳米棒具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 催化剂 辅助 真空 蒸发 生长 cds 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdS纳米棒的方法，其特征在于通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1∶0.35-1∶0.01的比例将CdS粉末与铋金属粉末均匀混合后置于以钼片为材料做成的电阻加热舟中，将衬底设置于蒸发源上方3毫米至3厘米处，当包含有电阻加热舟和衬底的真空蒸发炉腔体的真空度达到2×10-2-2×10-3Pa后，优选在2×10-3时，密闭腔体，通电流为100-180A热蒸发沉积5分钟-15分钟，在衬底上形成黄色或黄褐色的沉积物，即为CdS纳米棒。
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