[发明专利]ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810073409.0 | 申请日： | 2008-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101280414A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 江民红;刘心宇 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01B5/14;G02B1/10 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 孙伊滨 |
| 地址： | 541004广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO:Bi光电薄膜及其制备方法，它以分析纯Bi2O3粉末作为掺杂原料，纯度为99.95％的纳米氧化锌为主体材料组成，Bi2O3的掺入量为总重量的1－5％，配料经360－720分钟球磨混合、在30－60MPa的压强下压制3－15分钟成型，在空气中1200－1400℃下常压、保温烧结60－360分钟，制备得ZnO:Bi陶瓷靶材，在本底真空度为8.0×10－5Pa、充纯氩后的气体压强为1－3Pa的条件下，经射频磁控溅射制膜，再在真空度≤0.1Pa的真空环境中退火热处理制成，表达式为ZnO:Bi，各组分原料用量重量比为ZnO 95－99％，Bi2O3 1－5％。这种光电薄膜具有良好的光电性能，电阻率达9.0×10－4Ω·cm，可见光透过率达85％以上，在波长小于370nm的紫外波段透过率表现为截止状态，具有良好的紫外隐身效果，同时所采用的原料纯度低，且工艺简单、成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | zno bi 光电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO:Bi光电薄膜，其特征是：它以Bi2O3作为掺杂原料，氧化锌为主体材料组成，Bi2O3的掺入量为总重量的1-5％，经配料、球磨混合、压制成型、高温烧制成陶瓷靶材后，在本底真空度为8.0×10-5Pa、充纯氩后的气体压强为1-3Pa的条件下，经射频磁控溅射制膜，再在真空度＜0.1Pa的真空环境中退火热处理制成，表达式为ZnO:Bi，各组分原料用量重量比为ZnO 95-99％，Bi2O3 1-5％。
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