[发明专利]太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法有效
| 申请号： | 200810073549.8 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101260513A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王东生;黄开盛;龙飞;李建军;邹正光 | 申请（专利权）人： | 王东生 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广西南宁明智专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 黎明天 |
| 地址： | 530003广西壮族自治区南宁市*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法。所述靶材是以铜铟镓硒元素粉为原料，采用固相合成制备CIGS粉，进而采用等静压成型，最后高温烧结制备CIGS靶材。以所述靶材为原料，经一步溅射可获得CIGS薄膜。本发明将四元组分的关键靶材制备工艺由“分步沉积－硒化优化”简化为“一步沉积”，解决了多次换靶、重复沉积的复杂工艺过程，同时解决了后期硒化造成的质量问题，而且组分的调整通过靶材进行，后期的溅射工艺只需保证成膜的质量，增加了工艺的可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 铜铟镓硒 薄膜 关键 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳能电池铜铟镓硒(CIGS)薄膜关键靶材，其特征在于所述靶材以CuIn(1-x)GaxSe2为主相，Cu、In、Ga、Se粉的摩尔比分别是Cu：1、In：0.6～1.2、Ga：0.2～0.8、Se：1.8～2.5。
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