[发明专利]一种新型锡酸钡基导电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200810073871.0 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101402522A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 刘心宇;杨华斌;黄晋;袁昌来 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型锡酸钡基导电陶瓷材料及其制备方法，它是在易于半导体化的BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，采用传统陶瓷制备工艺，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1-xO3来表示，其中0＜x≤0.2。这种陶瓷材料成本低、导电性好、化学性能稳定、电阻率稳定、耐高温。常温电阻率可达1.0Ω·cm以下。而且制备工艺简单、稳定、实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 锡酸钡基 导电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锡酸钡基导电陶瓷材料，其特征在于：在易于半导体化的BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1-xO3来表示，其中0＜x≤0.2。
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