[发明专利]提高组件电压耐受性的双向控制装置有效

专利信息
申请号: 200810074095.6 申请日: 2008-02-25
公开(公告)号: CN101237232A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 陈振铭;刘匡祥;刘圣超 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H03K19/003 分类号: H03K19/003;H03K19/0185;G09G3/36
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种提高组件电压耐受性的双向控制装置,该装置是藉由控制复数个金属氧化物半导体场效应晶体管组以接收由一第一输入信号源与一第二输入信号源所提供的二个输入信号,并提供二个输出信号于一第一输出信号源与一第二输出信号源。复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管将直流信号转换为交流信号,解决每一金属氧化物半导体场效应晶体管的临界电压快速偏移问题,延长金属氧化物半导体场效应晶体管的使用寿命,稳定双向控制装置正常运作与逻辑输出。
搜索关键词: 提高 组件 电压 耐受 双向 控制 装置
【主权项】:
1.一种双向控制装置,其特征在于,该双向控制装置用以接收一第一输入信号源与一第二输入信号源所提供的输入信号,并用以提供二个输出信号于一第一输出信号源与一第二输出信号源,该双向控制装置包括:一第一金属氧化物半导体场效应晶体管组,包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管,该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第一输入信号源,该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第一输出信号源;一第二金属氧化物半导体场效应晶体管组,包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管,该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第一输入信号源,该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第二输出信号源;一第三金属氧化物半导体场效应晶体管组,包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管,该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第二输入信号源,且该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第一输出信号源;及一第四金属氧化物半导体场效应晶体管组,包含复数个并联的金属氧化物半导体场效应晶体管,该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输入端是耦接于该第二输入信号源,且该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组的输出端是耦接于该第二输出信号源;其中该第一金属氧化物半导体场效应晶体管组、该第二金属氧化物半导体场效应晶体管组、该第三金属氧化物半导体场效应晶体管组、与该第四金属氧化物半导体场效应晶体管组皆包含相同数目的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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